市场分析需要哪些工具 森国科肯求超结MOSFET器件及制备递次专利, 普及尚结MOSFET器件的可靠性和厚实性

金融界2024年12月21日音问，国度常识产权局信息显现，深圳市森国科科技股份有限公司肯求一项名为“一种超结MOSFET器件及制备递次”的专利，公开号CN119153531A，肯求日历为2024年11月。

专利摘抄显现，本发明触及MOSFET器件本领边界，尤其触及一种超结MOSFET器件及制备递次，该器件包括：衬底、M层外延层、结果层、阱区、源极金属层、栅极和漏极金属层；M层外延层位于衬底之上；结果层位于M层外延层之上结果层内的驾驭两个区域辞别设有一个阱区；源极金属层和栅极均位于结果层之上，源极金属层位于阱区之上，栅极位于源极金属层之间，且栅极掩盖阱区之间的停止区域和阱区的部分区域，漏极金属层位于衬底之下；每层外延层设有浮空P+区，每层外延层的浮空P+区与一个阱区对应设置，相邻两层外延层的浮空P+区为交错设置。该器件普及尚结MOSFET器件的可靠性和厚实性，使器件具有更好的雪崩耐量，更低的导通电阻。

本文源自：金融界